(openPR) Milpitas, California (USA) – 27. Januar 2010. Linear Technology Corporation präsentiert den LTC4449, einen schnellen Synchron-MOSFET-Treiber zur Ansteuerung von High- oder Low-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Synchrongleichrichter-Spannungswandlern. Dieser Treiber ergibt in Kombination mit Leistungs-MOSFETs und einem DC/DC-Controller von Linear Technology einen vollständigen, wirkungsgradstarken Synchronregler, der als Abwärts- oder Aufwärtsregler betrieben werden kann.
Der LTC4449 kann die Gates sowohl des "oberen" als auch des "unteren" MOSFETs mit einem Pegel von 4V bis 6,5V ansteuern und erlaubt Betriebsspannungen bis zu 38V. Dieser leistungsfähige Treiber kann Ströme bis zu 4,5A aufnehmen und Ströme bis zu 3,2A liefern; er ist dadurch eine ideale Lösung zur Ansteuerung von Hochstrom-MOSFETs mit großer Gate-Kapazität. In Anwendungen, die höhere Ströme erfordern, kann der LTC4449 auch mehrere parallelgeschaltete MOSFETs treiben. Die kurzen Anstiegs-/Abfallzeiten (8ns bzw. 7ns beim "oberen" MOSFETs, 7ns bzw. 4ns beim "unteren", jeweils bei 3.000pF Lastkapazität) minimieren die Schaltverluste. Ein adaptiver "Shoot-through"-Schutz verhindert ein gleichzeitiges Durchschalten des "oberen" und des "unteren" MOSFETs und minimiert dabei die Totzeit.
Der LTC4449 besitzt einen 3-State-PWM-Eingang zum Ein-/Ausschalten der Leistungsstufe und zum Herunterfahren des Wandlers, der zu allen Mehrphasen-Controllern mit 3-State-Ausgang kompatibel ist. Außerdem besitzt der LTC4449 einen separaten Betriebsspannungsanschluss für die Eingangslogik, sodass diese dem Signalhub des Controller-ICs angepasst werden kann, und eine Unterspannungs-Lockout-Schaltung sowohl für die Treiber- als auch die Logik-Betriebsspannung.
Der LTC4449 kommt in einem 2mm x 3mm großen DFN-8-Gehäuse. Die für den Sperrschichtbetriebstemperaturbereich von –40ºC bis 125ºC spezifizierte Industrial-Grade-Version LTC4449IDCB ist ab Lager lieferbar. Weitere Informationen finden Sie unter www.linear.com.
Die wichtigsten Leistungsmerkmale: LTC4449
• Synchron-n-Kanal-MOSFET-Treiber
• Gate-Steuerspannung: 4V bis 6,5V
• Maximale Betriebsspannung 38V
• Adaptiver "Shoot-Through"-Schutz
• Three-State-PWM-Eingang zur Steuerung der Leistungsstufe
• Hoher Treiberstrom: 3,2A Quelle, 4,5A Senke
• "Oberes" Gate: 8ns Anstiegszeit, 7ns Abfallzeit bei 3.000pF Gate-Kapazität
• "Unteres" Gate: 7ns Anstiegszeit, 4ns Abfallzeit bei 3.000pF Gate-Kapazität
• DFN-8-Gehäuse, 2mm x 3mm
