(openPR) Taiwan Semiconductor erweitert seine Serie der Hochspannungs-Schottky-Gleichrichter um zwei neue Versionen mit einer Sperrspannung von 200 V und einem Durchlassstrom von 20 A und 30 A unter Verwendung eines Platin-Sperrschichtkontaktes. Dank verbessertem Schaltverhalten im Frequenzbereich von 250 kHZ bis 5.0 MHz eignen sich die neuen Typen besonders gut als Sekundärgleichrichter in AC/DC und DC/DC Wandlern für einen Ausgangsspannungsbereich von 24 V - 48 V. Des Weiteren wurden die Gleichrichter für Anwendungen in Hochfrequenz-Wechselrichtern sowie als Verpolungsschutz- und Freilaufdioden ausgelegt. Zusätzlich von Vorteil ist die Möglichkeit, dass die Bauteile aufgrund ihrer besseren dynamischen Eigenschaften problemlos auch als Ersatz für Ultrafast-Dioden verwendet werden können. Die beiden Versionen werden in 2 verschiedenen Gehäusetypen mit folgenden Bestellnummern angeboten:
MBR20200PT C0 (C0G für Halogen-frei): 20 A, TO3P/TO-247AD Gehäuse
MBRF30200CT C0 (C0G für Halogen-frei): 30 A, ITO-220AB Gehäuse
Presseinformation
Taiwan Semiconductor erweitert seine Schottky-Gleichrichter-Familie um 200 V Versionen
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Georg-Wimmer-Ring 25
85604 Zorneding
Tel: +49-(0)8106/9963-71
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Web: www.taiwansemi.com
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Über das Unternehmen
Über Taiwan Semiconductor: Die über 30-jährige Markterfahrung in der Herstellung von diskreten Halbleiterbauelementen stellt die Kernkompetenz von Taiwan Semiconductor dar. Das Produktportfolio umfasst Gleichrichter & Dioden, Analoge ICs, Transistoren und MOSFETs. Die Fertigungsstätten in China und Taiwan sind an den aktuellen Anforderungen der Automobilindustrie ausgerichtet und nach den gängigen Standards wie TS16949, ISO9001 und ISO14001 zertifiziert. Produkte von Taiwan Semiconductor werden in vielzähligen Bereichen der Elektronikindustrie eingesetzt: z.B. in Automotive-, Computer-, Consumer-, Industrie-, Telekom-, und Photovoltaikanwendungen.
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Verbesserung der Energieeffizienz - Primary Side and Secondary Side Power MOSFETs
Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs BVDS 450V~900V N-Kanal
Eigenschaften und Vorteile:
Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor bieten einen niedrigen On-Widerstand, geringe Leistungsverluste sowie eine verbesserte Effizienz.
Die guten di/dt Werte erlauben eine exzellente Zuverlässlichkeit und gewährleisten Avalanche Festigkeit. Die durch die niedrigeren effektiven Ausgangskapazitäten erzielten geringeren Schaltverluste erlauben eine hohe Frequenz in der Schaltung.
MV-Leistungs MOSFETs: BVDS 60V~200V N-Kanal
LV-Leistungs MOSFETs…
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