(openPR) Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs BVDS 450V~900V N-Kanal
Eigenschaften und Vorteile:
Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor bieten einen niedrigen On-Widerstand, geringe Leistungsverluste sowie eine verbesserte Effizienz.
Die guten di/dt Werte erlauben eine exzellente Zuverlässlichkeit und gewährleisten Avalanche Festigkeit. Die durch die niedrigeren effektiven Ausgangskapazitäten erzielten geringeren Schaltverluste erlauben eine hohe Frequenz in der Schaltung.
MV-Leistungs MOSFETs: BVDS 60V~200V N-Kanal
LV-Leistungs MOSFETs: BVDS kleiner 60V
Eigenschaften und Vorteile:
Taiwan Semiconductor’s MOSFETS im mittleren und niedrigen Spannungsbereich basieren auf modernster Trench-Technologie. Im Speziellen wurden sie zur Effizienz-Verbesserung und Reduzierung von Schaltverlusten von DC-DC Wandlern bei niedriger Gate-Ladung konzipiert. Die Hochleistungs-Trench Technologie bietet einen niedrigen RDS(on) Wert und geringe Gate-Ladungen und ist deshalb äußerst vielseitig einsetzbar.
Presseinformation
Verbesserung der Energieeffizienz - Primary Side and Secondary Side Power MOSFETs
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Mr. Alexander Nather
Georg-Wimmer-Ring 25
85604 Zorneding
Tel.: +49-(0)8106/9963-71
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Web: www.taiwansemi.com
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Über das Unternehmen
Über Taiwan Semiconductor: Die über 30-jährige Markterfahrung in der Herstellung von diskreten Halbleiterbauelementen stellt die Kernkompetenz von Taiwan Semiconductor dar. Das Produktportfolio umfasst Gleichrichter & Dioden, Analoge ICs, Transistoren und MOSFETs. Die Fertigungsstätten in China und Taiwan sind an den aktuellen Anforderungen der Automobilindustrie ausgerichtet und nach den gängigen Standards wie TS16949, ISO9001 und ISO14001 zertifiziert. Produkte von Taiwan Semiconductor werden in vielzähligen Bereichen der Elektronikindustrie eingesetzt: z.B. in Automotive-, Computer-, Consumer-, Industrie-, Telekom-, und Photovoltaikanwendungen.
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