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Neue Möglichkeiten für Mikroelektronik und Siliziumsolartechnik

Bild: Neue Möglichkeiten für Mikroelektronik und Siliziumsolartechnik

(openPR) SGS INSTITUT FRESENIUS erweitert mit dem Erwerb eines neuen SRP-Probers SSM 2000 seine Möglichkeiten der Dotierungsprofilmessung für Mikroelektronik und Siliziumsolartechnik.

Die Dotiertechnik ist ein wichtiger Prozesskomplex in der Halbleitertechnologie. Eine exakte Messung der stofflich vorhandenen und elektrisch aktiven Dotierungsprofile ist notwendig für die Technologie¬entwicklung, Kontrolle von Prozessen, Überprüfung von Simulationsergebnissen und Fehleranalyse.

SGS INSTITUT FRESENIUS verfügt dazu über zwei, seit Jahrzehnten bewährte, leistungsfähige Methoden. Sowohl die für die Messung von Elementtiefenprofilen geeignete Sekundärionenmassenspektrometrie (SIMS) als auch die für die Messung der elektrisch aktiven Ladungsträgerverteilung prädestinierte Technik Spreading Resistance Profiling (SRP) verfügen über eine hohe Empfindlichkeit und eine große Dynamik des Messsignals. Beide Methoden ergänzen sich vorzüglich in ihren Anwendungen.

Mit dem Erwerb eines neuen SRP-Probers SSM 2000 erweitert SGS INSTITUT FRESENIUS seine Möglichkeiten der Dotierungsprofilmessung für Mikroelektronik und Siliziumsolartechnik.

Ihr Kontakt:
Dr. André Möller
SGS INSTITUT FRESENIUS GmbH
Königsbrücker Landstraße 161
D-01109 Dresden
t: +49 351 8841-155
f: +49 351 8841-190
e: E-Mail

SGS INSTITUT FRESENIUS

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