(openPR) In unerwarteter Geschwindigkeit hat das Bar-Ilan-Institut für Nanotechnologie und fortschrittliche Materialien (BINA), Ramat Gan, Israel, einen Prototyp entwickelt, der den in Halbleitern verwendeten Ansatz revolutionieren wird. Es dauerte nur 24 Monate bis zur ersten erfolgreichen Kombination von Zero EC in Silizium (einer patentierten Technologie).
Die Technologie ermöglicht es Elektronen im Vakuum zu leiten, was den Energieverbrauch für den Transport von Elektronen auf praktisch null reduziert, unabhängig von der Distanz (insgesamt etwa 10-4 pJ/Bit). Der Transfer von Daten ist schneller, und die mögliche Bandbreite wird erheblich erhöht (x1000). Im Gegensatz zu seinen Pendant Kupfer, das sich erwärmt, oder Alternativen aus Glasfaser, die sehr kostspielig sind, wird mit dieser Technologie ein deutlicher Energieschub erwartet. Die möglichen Anwendungen sind zahlreich und versprechen deutliche Performance-Zuwächse für die Halbleiterindustrie.
Wohin führt uns diese neue Innovation? Zur Datenübertragung zwischen Chips, Gebäuden oder Städten? Oder führt es uns weiter zu neuartigen Computern und Lösungen für Quantencomputer?
Der erste Kontakt
Alles begann bei einem Treffen zwischen Erez Halahmi (CTO von Zero EC) und Dr. Yossi Abulafia (Leiter Nano-Fabrication, Bar-Ilan-Institut für Nanotechnologie und fortschrittliche Materialien, ehemaliger Mitarbeiter von Intel) im Jahr 2013.
Erez Halahmi sagt rückblickend: „Bar-Ilan hat uns bewiesen, dass unsere Technologie mit den aktuellen Herstellungsprozessen kompatibel und ohne Erhöhung der Produktionskosten einsetzbar ist“.
„Es war eine große Freude, mit dem Team von Zero EC zusammenzuarbeiten. Dank ihres hohen Levels an Innovation konnten wir gemeinsam einen Prototyp für eine der vielversprechendsten Technologien in der Halbleiterindustrie erstellen “, sagte Dr. Abulafia.
Herr Frédéric Geissbuhler, CEO von Zero EC SA, sagt hierzu: „Wir haben nach einem Ort gesucht, an dem ein Si-Prototyp im Mikrometerbereich nach unserem Entwurf hergestellt werden kann. Dank der modern ausgestatteten FAB und des sehr talentierten Teams hat Bar-Ilan diese unglaubliche Leistung in so kurzer Zeit ermöglicht. Dr. Abulafia hat bewiesen, dass das Bar-Ilan-Nano-Zentrum eines der besten Orte für innovative Projekte ist. Sie konnten einen Prototyp herstellen, mit einem Durchmesser von 5 Mikrometern pro Kanal, mit 1 Million Kanälen und das auf einem 1 cm x 1 cm großen Siliziumchip. Diese Technologie hat das Potenzial, bestehende Engpässe beim Datentransport in verschiedenen Anwendungen zu beheben, und kann in Zukunft in fast allen Anwendungen für Glasfaser oder Kupfer zu einem echten Wettbewerb werden. “
Über das Bar-Ilan-Nano-Zentrum (Bar-Ilan-Institut für Nanotechnologie und fortschrittliche Materialien)
Gegründet in 2007 verfügt BINA über 68 hochmoderne Labore und kann sich damit rühmen "Wissenschaftliche Dienstleistungen" auf dem letzten Stand der Technik anzubieten.
Die Bar-Ilan-Universität bietet Unternehmen in einer Vielzahl von Bereichen wie CPM, Nanofabrikation und Oberflächenanalyse maßgeschneiderte Dienstleistungen an und erfindet sich seit ihrer Gründung immer wieder neu. Die Weiterentwicklung der Leistungen gilt als vorbildlich.
Die bemerkenswerte Produktivität von BINA - bei Veröffentlichungen, Zuschüssen, Patenten und bei der Unterstützung erfolgreicher Start-ups die aus Durchbrüchen der Grundlagenforschung gegründet wurden - hat BINA als R&D Partner sehr gefragt gemacht. Neben der akademischen Zusammenarbeit mit einigen der weltweit führenden Forschungsinstitute arbeitet BINA derzeit mit führenden multinationalen Unternehmen zusammen.
